近日，杜克大学电子与计算机工程系陈怡然教授获得2022年Edward J. McCluskey技术成就奖，这一奖项由国际电子电气工程师协会（IEEE）计算机专业委会颁发，旨在表彰计算机和信息科学与工程领域做出了卓越创新贡献的学者。

陈怡然教授因其对新型非易失性存储器技术及其应用的研究而获奖，他的研究成果显著推动了这一领域的发展和进步。此前，电子系1991级校友谢源教授在2020年也获此奖项。

原文链接：https://pratt.duke.edu/about/news/chen-wins-ieee-2022-edward-j-mccluskey-technical-achievement-award?continueFlag=b3dee41f8a766c33fa7967c3b3e5ceaf

陈怡然（电子系1994级）

陈怡然 博士分别于1998及2001年获得清华大学学士与硕士学位，并于2005年获得普度大学博士学位。在五年的工业界经历之后，他于2010年加入匹兹堡大学任助理教授，并于2014年晋升为长聘副教授，双世纪校友讲席。陈怡然博士现任杜克大学电子与计算机工程系教授，美国国家科学基金委（NSF）下一代移动网络与边缘计算人工智能研究院（Athena）主任，美国国家科学基金委（NSF）新型与可持续计算（ASIC）校企合作研究中心（IUCRC）主任，以及杜克大学计算进化智能研究中心联合主任。他的团队致力于新型内存与存储系统，机器学习与神经形态计算，以及移动计算系统的研究。陈怡然博士曾出版一部专著，发表近500篇学术论文，并获得了96项专利。他曾担任数十本国际学术期刊的编辑，并在超过60个国际学术会议的技术与组织委员会中任职，现任IEEE电路与系统杂志的主编。在MICRO, KDD, DATE, SEC等知名国际学术会议和研讨会中，他曾获得8项最佳论文奖，一项最佳海报奖，以及14项最佳论文提名。陈怡然博士因其对学术社区的贡献也收获了多项奖项，如IEEE计算机协会Edward J. McCluskey技术成就奖，ACM 设计自动化组织（SIGDA) 服务奖等。他同时是ACM与IEEE会士（Fellow），并担任ACM设计自动化组织（SIGDA) 主席。

陈怡然博士因其在计算机工程与信息科学领域的杰出贡献获得这一奖项。他关于新型非易失性存储器（NVM）的研究推动了整个领域的进展。其中最具代表性的工作之一是关于自旋转移力矩随机存储器（STT-RAM）的研究。他在希捷（Seagate）公司任职期间发表的STT-RAM的原型芯片论文第一次证明了商用半导体工艺制造STT-RAM的可行性。他也首次提出了磁/电协同设计的STT-RAM存储单元模型以及STT-RAM作为嵌入式片上存储器在计算机体系结构中的应用。STT-RAM近年来在三星，格罗方德，台积电等半导体制造厂商开始商用，并已经出现在了许多消费电子产品中。

陈怡然博士也是使用非易失性存储器进行神经网络加速领域研究的先行者。在2009年，他和希捷公司的同事一起首次提出了使用自旋忆阻器模拟神经元的相关模型。这一想法的可行性被随后许多相关的工作所证实。他和其夫人李海教授一起提出了使用忆阻器矩阵计算矩阵向量乘法的映射方法，实现了当下平面半导体制造技术理论上所能够达到的最高计算密度。这一设计思想也被包括惠普，IBM等在内的多个公司所采用并直接促生了许多相关领域初创公司的成立。

编辑、审核：大可

版权声明：本文由“TOP大学来了”综合自“清华大学”，版权归原作者所有，文章转摘只为学术传播，如涉及侵权问题，请联系我们，我们将及时修改或删除。